一、項目背景

最近自己開始準備了一個智能家居控制系統項目，需要包含室內的温濕度、空氣質量、煙霧濃度以及氣體含量，能夠存儲相應的數據，並進行顯示。

Nand-flash存儲器是flash存儲器的一種，其內部採用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。
Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快等優點，適用於大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。

二、產品解析

NOR和NAND是市場上兩種主要的非易失閃存技術。
Intel於1988年首先開發出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接着，1989年，東芝公司發表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，並且像磁盤一樣可以通過接口輕鬆升級。但是經過了十多年之後，仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。“NAND存儲器”經常可以與“NOR存儲器”相互換使用。
許多業內人士也搞不清楚NAND閃存技術相對於NOR技術的優越之處，因為大多數情況下閃存只是用來存儲少量的代碼並且需要多次擦寫，這時NOR閃存更適合一些。而NAND則是高數據存儲密度的理想解決方案。
NOR的特點是芯片內執行（XIP, eXecute In Place），這樣應用程序可以直接在flash 閃存內運行，不必再把代碼讀到系統RAM中。NOR的傳輸效率很高，在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除 速度大大影響了它的性能。
NAND結構能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度，並且寫入和擦除的速度也很快。應用NAND的困難在於flash的管理需要特殊的系統接口。

三、主要區別

NOR與NAND的區別性能比較flash閃存是非易失存儲器，可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。
任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先執行擦除。
NAND器件執行擦除 操作是十分簡單的，而NOR則要求在進行擦除前 先要將目標塊內所有的位都寫為0。由於擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進行的，執行一個寫入/擦除操作的時間為5s ，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進 行的，執行相同的操作最多隻需要4ms。
執行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了NOR和NAND之間的性能差距，統計表明，對於給定的一套寫入操作（尤其是更新小文件時）， 更多的擦除操作必須在基於NOR的單元中進行。這樣，當選擇存儲解決方案時，設計師必須權衡以下的各項因素。

NOR的讀速度比NAND稍快一些。NAND的寫入速度比NOR快很多。
NAND的擦除速度遠比NOR快。NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路更加簡單。NAND的實際應用方式要比NOR複雜的多。NOR可以直接使用，並在上面直接運行代碼，而NAND需要I/O接口，因此使用時需要驅動。
接口差別NOR flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來尋址，可以很容易地存取其內部的每 一個字節。NAND器件使用複雜的I/O口來串行地存取數據，各個產品或廠商的方法可能各不相同 。8個引腳用來傳送控制、地址和數據信息。
NAND讀和寫操作採用512字節的塊，這一點有點像硬盤管理此類操作，很自然地，基於NAND的存儲器就可以取代硬盤或其他塊設備。
NOR的特點是芯片內執行(XIP, eXecute In Place),這樣應用程序可以直接在flash閃存內運行,不必再把代碼讀到系統RAM中。
NOR的傳輸效率很高,在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益,但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。

NAND結構能提供極高的單元密度,可以達到高存儲密度,並且寫入和擦除的速度也很快。應用NAND的困難在於flash的管理需要特殊的系統接口。NAND Flash 的數據是以bit的方式保存在memory cell，一般來説，一個cell 中只能存儲一個bit。
這些cell 以8個或者16個為單位，連成bit line，形成所謂的byte(x8)/word(x16)，這就是NAND Device的位寬。這些Line會再組成Page，(NAND Flash 有多種結構，例如NAND Flash 是K9F1208,下面內容針對三星的K9F1208U0M)，每頁528Bytes(512byte(Main Area)+16byte(Spare Area))，每32個page形成一個Block(32*528B)。
具體一片flash上有多少個Block視需要所定。再例如三星k9f1208U0M具有4096個block，故總容量為4096（32528B）=66MB，但是其中的2MB是用來保存ECC校驗碼等額外數據的，故實際中可使用的為64MB。

四、產品介紹

CSNP64GCR01-AOW不用寫驅動程序自帶壞塊管理的NAND Flash（貼片式TF卡），尺寸小巧，簡單易用，兼容性強，穩定可靠，固件可定製，LGA-8封裝，標準SDIO接口，兼容SPI，兼容拔插式TF卡/SD卡，可替代普通TF卡/SD卡，尺寸7x8.5mm，內置平均讀寫算法，通過1萬次隨機掉電測試，耐高低温，機貼手貼都非常方便，速度級別Class10（讀取速度23.5MB/S寫入速度12.3MB/S）標準的SD 2.0協議使得用户可以直接移植標準驅動代碼，省去了驅動代碼編程環節。支持TF卡啓動的SOC都可以用SD NAND，提供STM32參考例程及原廠技術支持，容量：8GB，比TF卡穩定，比eMMC易用，樣品免費試用。

五、產品優勢

六、樣品展示

很感謝雷龍官方提供了樣品支持和試用，讓自己的項目得到了更好的實現，這一次製作的U盤讀取和寫入使用到了這款產品，體驗到了產品的優勢和核心性能，感覺真的挺好的。

實物轉接板

芯片實物圖

雷龍科技官方網址：http://www.longsto.com/product/70-en.html