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CMOS

CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor,互補金屬氧化物半導體）是把NMOS和PMOS製造在同一個芯片上組成集成電路，CMOS工藝製程技術是利用互補對稱電路來配置連接PMOS和NMOS從而形成邏輯電路，這個電路的靜態功耗幾乎接近為零，這個理論可以很好地解決功耗問題，這一發現為CMOS工藝製程技術的發展奠定了理論基礎。

DMOS

DMOS與CMOS器件結構類似，也是由源、漏和柵組成，但是DMOS器件的漏極擊穿電壓非常高。DMOS器件主要有兩種類型，一種是VDMOS（Vertical Double Diffused MOSFET，垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應管），另一種是LDMOS（Lateral Double Diffused MOSFET，橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管）。

區別

構造：CMOS結構由P型和N型MOSFET組成，P型MOSFET的源極和漏極都是P型半導體，體區是N型半導體，而N型MOSFET則正好相反。DMOS結構則是一種N型MOSFET，它採用雙擴散工藝，使得N型區域的摻雜濃度分佈更加均勻，同時漏極和源極之間形成一個P型加強區。

工作原理：CMOS結構通過在P型和N型MOSFET之間交替地組合，實現了電路的低功耗、高速度和高集成度，因為當輸入信號為高電平時，只有P型MOSFET導通，而N型MOSFET截止，反之亦然。DMOS結構則是一種單極性結構，只有N型MOSFET，其工作原理類似於普通的MOSFET，但由於P型加強區的存在，DMOS可以承受更高的電壓和電流，因此被廣泛應用於功率放大器和開關電源等領域。

應用：CMOS結構廣泛應用於數字電路、微處理器、存儲器等領域，因為它的功耗低、速度快、集成度高。DMOS結構則廣泛應用於功率電子學領域，例如功率放大器、開關電源、馬達驅動器等，因為它可以承受更高的電壓和電流，同時具有較低的導通電阻和開關損耗。