本文詳細介紹了GH8555B寄存器的初始化過程,包括頁面結構,密碼訪問方法,以及關鍵寄存器如VCSW、MIPLANE通道數、分辨率設置等,涵蓋了VSPR/VSNR,VCOM,VGH/VGL等電壓調整。

1.初始化代碼調試説明

寄存器基本功能説明

寄存器有多個PAGE 構成,簡單可以分為協議類和私有類兩類。協議類為遵守標準協議。私有類為每家公司按需求定義自己的地址和參數。訪問GH8555B的私有寄存器需要輸入password + page number,其中password命令為Generic_Long_Write_2P(0xea,0x85,0x55);其中0xea為地址,0x85,0x55為密鑰;進入Page number命令為Generic_Short_Write_1P(0xee,0x50); 0xee為地址0x50為page 1的page number ; Page 2 的page number為0x60,以此類推。

2.基本參數設置

寄存器説明

Page2 部分功能説明

VCSW1,VCSW2 設置,地址為93 h的D1,D0 ,D2,D3;

RH850開發板StarterKit示例程序分析--R_UART_Init();串口初始化_參數説明

0: CLK en

1:delay 半個CLK

2:設置為常 LOW

3: 設置為常 HIGH

MIPI LANE 通道數設置: 地址為30 h的D1,D0;

RH850開發板StarterKit示例程序分析--R_UART_Init();串口初始化_寄存器_02

參數説明:

           00: 3lane 

           01: 4lane

           10: 1lane

           11: 2lane

例:Generic_Short_Write_1P(0x30,0x01); // 4 LANE

分辨率設置
Source 輸出數量設置: 地址為為PGAE2的9ah :D2,D1, D0 ;

RH850開發板StarterKit示例程序分析--R_UART_Init();串口初始化_3d_03

參數説明:
            000 : 800
            001 : 768
            010 : 750
            011 : 750
            100 : 750
            101 : 720
            110 : 640
            111 : 600

RH850開發板StarterKit示例程序分析--R_UART_Init();串口初始化_3d_04

例:Generic_Short_Write_1P(0x9a,0x5x); // Source out=720
Generic_Short_Write_1P(0x9a,0x0x); // Source out=800
Gate 輸出數量設置
Gate 輸出設置為PGAE2的0x9b,0x9c:

RH850開發板StarterKit示例程序分析--R_UART_Init();串口初始化_寄存器_05

參數説明:
目標分辨率 / 2 =設置值 。
如:720x1280 的分辨率,GATE 為1280 通道,則1280/2=640 。 640(dec) = 280 h(hex).

gt_nl[9:0]=280 h.

Generic_Short_Write_1P(0X9b,0x02);

Generic_Short_Write_1P(0x9c,0x80);    // Gate channel=1280

VSPR/VSNR 電壓設置,設定範圍0x00h ~0x96h。

電壓範圍: VSPR: 3 ~ 6V;

VSNR:-3 ~ -6V。

為0xffh時 VSPR/VSNR=VSP/VSN

RH850開發板StarterKit示例程序分析--R_UART_Init();串口初始化_參數説明_06

參數説明:

RH850開發板StarterKit示例程序分析--R_UART_Init();串口初始化_參數説明_07

例:Generic_Short_Write_1P(0x42,0x93); // VSPR=5.94V
Generic_Short_Write_1P(0x43,0x93); // VSNR=-5.94
VCOM 電壓設置,設定範圍0x00h ~0xffh。
電壓範圍: VCOM: -0.3 ~ -4V。

RH850開發板StarterKit示例程序分析--R_UART_Init();串口初始化_寄存器_08

參數説明: VCOM 為10mV一個STEP.

RH850開發板StarterKit示例程序分析--R_UART_Init();串口初始化_3d_09

例:

Generic_Short_Write_1P(0x3c,0x33); // VCOM = -1.065 V

Generic_Short_Write_1P(0x3c,0x50); // VCOM = -1.5 V

VGH/VGL 設置

VGH/VGL 有倍壓模式和senor 模式,通過3d h,3e進行模式選擇

RH850開發板StarterKit示例程序分析--R_UART_Init();串口初始化_3d_10

RH850開發板StarterKit示例程序分析--R_UART_Init();串口初始化_3d_11

參數説明:
例:Generic_Short_Write_1P(0x3d,0x11); // 倍壓VSN-VCI模式,
Generic_Short_Write_1P(0x3e,0x95); // 倍壓3*VSP-VSN模式,

RH850開發板StarterKit示例程序分析--R_UART_Init();串口初始化_3d_12

例:
Generic_Short_Write_1P(0x3d,0x13); // VGL=2*VSN-VSP;
Gamn_sw<11:6> è vgh_s<5:0>
Gamn_sw<5:0> è vgl_s<5:0>
PAGE2 ADD:46 ,

RH850開發板StarterKit示例程序分析--R_UART_Init();串口初始化_3d_13

RH850開發板StarterKit示例程序分析--R_UART_Init();串口初始化_寄存器_14

RH850開發板StarterKit示例程序分析--R_UART_Init();串口初始化_寄存器_15

RH850開發板StarterKit示例程序分析--R_UART_Init();串口初始化_參數説明_16

RH850開發板StarterKit示例程序分析--R_UART_Init();串口初始化_寄存器_17

RH850開發板StarterKit示例程序分析--R_UART_Init();串口初始化_寄存器_18

RH850開發板StarterKit示例程序分析--R_UART_Init();串口初始化_寄存器_19