人工智能(AI)需求爆發,帶動存儲器芯片市場「超級週期」來襲,掀起全面缺貨和漲價潮。目前部分存儲器原廠報價效期短,出現「一天一價」現象,部分DRAM和Flash產線更暫停報價。分析師預計,第四季DRAM的整體價格(加計高頻寬存儲器HBM)將季增13%~18%。
財聯社報導,存儲器芯片市場2025年上半年漲勢並未在第四季趨緩,反而出現加劇的跡象。以HBM為代表的AI需求爆發,正徹底打破存儲器行業的傳統供需平衡。
報導引述大陸模組廠人士表示,從今年第一季開始,DDR4的原廠價格持續走高。導購平台「慢慢買」數據顯示,一款金士頓(Kingston)的DDR4桌上型存儲器,價格從3月開始急速上漲,目前售價已超去年同期兩倍。
CFM快閃存儲器市場最新報價顯示,產業上游成本急速攀升,DDR4 16Gb 3200現貨報價本週達13美元,較上週暴漲30%;同時,10月以來,512Gb Flash Wafer價格累計漲幅超過20%。
集邦諮詢(TrendForce)分析師許家源指出,HBM所消耗的晶圓容量是標準DRAM的3倍多,在總產能有限的情況下,原廠將產能優先保障生產Server DRAM及HBM,而存儲器巨頭也將產能重點轉向利潤更高的HBM和DDR5。
產品漲價範圍從需求暴增的HBM蔓延至整個存儲器市場。隨着原廠將產能優先轉移至火熱的高價值產品,傳統消費電子所需的DDR4、LPDDR4X等舊制程產品供給遭擠壓,面臨「計劃性犧牲」供應緊缺,預期DDR4的緊缺恐持續到2026年上半年。
IDC預測2028年AI服務器年增速仍達50%,疊加國產供應鏈自主化率超60%(硅晶圓、刻蝕設備實現國產替代),漲價潮非短期炒作。雖2026年HBM3e或供過於求,但HBM4等高階產品仍將緊缺,掌握先進封裝技術的賽騰股份、中微公司已搶佔先機。這場由AI點燃的漲價潮,正成為國產存儲芯片打破壟斷的黃金窗口。此外,國際原廠的漲價需求傳導至大陸晶圓廠,報導引述大陸存儲器大廠人士透露,國外原廠漲價令部分大陸國產廠商轉向國內晶圓廠。在該背景下,原廠獲利顯著擴大已是行業共識。對於大陸廠商而言,模組廠已積極儲備顆粒及晶圓(wafer)庫存,本土存儲器產業鏈正試圖通過積極囤貨和調漲價格,迎接這場結構性景氣新時代。
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