編輯：ll

SBD3DF40V1H-ASEMI可直接替代安世PMEG4005EJ

型號：SBD3DF40V1H

品牌：ASEMI

封裝：SOD-323

正向電流：1A

反向電壓：40V

正向壓降：0.44V~0.47V

引線數量：2

芯片個數：1

芯片尺寸：MIL

漏電流：10ua

恢復時間：35ns

浪涌電流：200A

芯片材質：

正向電壓：1.10V

封裝尺寸：如圖

特性：小家電專用二極管

工作結温：-50℃~150℃

包裝方式：500/管；5000/箱

ASEMI首芯半導體可替代安氏半導體功率器件

極速響應，降噪能手

反向恢復時間短於10ns，確保高頻逆變器與快速關斷電路中的瞬時切換，避免信號失真，特別適配光伏優化器等精密應用。

緊湊封裝，空間優化

SOD-323微型設計（1.26×1.24mm）節省PCB面積，支持高密度貼片工藝，滿足可穿戴設備及物聯網模塊的輕薄需求。

SBD3DF40V1H的核心在於其獨特的肖特基勢壘結構，通過金屬與半導體的接觸實現快速電子傳輸。這種設計帶來兩大顯著優勢：

極低正向壓降：典型值僅0.3V，大幅減少導通損耗，提升電源效率，尤其適合低壓大電流場景。

超快開關速度：反向恢復時間可低至納秒級，遠超傳統PN結二極管，確保高頻電路中的精準響應。

這些特性使其在開關電源、變頻器和高速邏輯電路中表現卓越，有效降低系統發熱並延長設備。

SBD3DF40V1H-ASEMI肖特基二極管的電性參數：正向電流1A；反向電壓40V

SBD3DF40V1H肖特基二極管被廣泛適用於：新能源汽車、車用、電源、充電器、適配器、LED燈飾、大小家電、民用及工業設備等產品中使用。