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SBD3D60V1H-ASEMI可直接替代安世PMEG6010CEJ

ASEMI首芯半導體可替代安世半導體功率器件

型號：SBD3D60V1H

品牌：ASEMI

封裝：SOD-323

特性：肖特基二極管

正向電流：1A

反向耐壓：60V

恢復時間：35ns

引腳數量：2

芯片個數：1

芯片尺寸：MIL

浪涌電流：125A

漏電流：10ua

工作温度：-55℃~150℃

包裝方式：500/盤；5000/箱

備受歡迎的SBD3D60V1H-ASEM肖特基二極管

ASEMI品牌SBD3D60V1H是採用工藝芯片，該芯片具有良好的穩定性及抗衝擊能力，能夠持續保證了SBD3D60V1H的漏源電流1A，漏源擊穿電壓60V.

SBD3D60V1H，ASEMI品牌，工藝芯片，工藝製造，該產品穩定性高，抗衝擊能力強。

SBD3D60V1H具體參數為：正向電流：1A，反向耐壓：60V，反向恢復時間： 35ns，封裝：SOD-323

在現代電子設備中，肖特基二極管以其獨特的優勢成為電路設計的核心元件。SBD3D60V1H型號作為這一技術的傑出代表，通過金屬-半導體結原理實現了低正向壓降（0.3V）和高速開關特性（1ns），顯著提升了電源效率和響應速度。其多數載流子導電器件設計避免了傳統PN結的電荷存儲效應，特別適用於高頻開關、波形整形及電路保護場景，如電源管理和信號處理。

在高頻應用中，SBD3D60V1H的快速轉換能力減少了能量損耗，支持緊湊型電子設備的高效運行。例如，在智能電視和遊戲主機中，該二極管可優化電源模塊性能，確保畫面流暢無延遲，同時降低發熱量。其反向耐壓設計（典型值60V）進一步增強了可靠性，適用於消費電子和工業控制領域。

隨着技術演進，肖特基二極管持續推動電子設備向高頻、小型化發展。SBD3D60V1H憑藉低功耗和穩定性能，成為提升系統能效的理想選擇，助力新一代智能硬件實現更優的電源管理和信號完整性。